静态随机存取存储器SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此静态随机存取存储器SRAM具有较高的性能,功耗较小,适用于纽扣电池供电的高速和**低功耗的应用,如手持式扫描仪、掌上电脑、多功能蜂窝电话、机顶盒和WLAN等。 深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。 Density Org. Part Number Vcc Speed(ns) Pkg(Pins) IS61WV1288EEBLL 2.4-3.6V 8,10 TSOP2(32),BGA(48),sTSOP1(32),SOJ(32.3) 1Mb 128Kx8 IS63WV1288DALL/DBLL 1.65-3.6V 8,10,12,20 TSOP2(32),BGA(48),sTSOP1(32),SOJ(32.3) 1Mb 128Kx8 IS64C1024AL 5V 15 SOJ(32.4),TSOP1(32) 1Mb 64Kx16 IS61C6416AL 5V 12ns SOJ(44),TSOP2(44) 1Mb 64Kx16 IS61WV6416DBLL 2.4-3.6V 8,10,12 TSOP2(44),SOJ(44),BGA(48) 1Mb 64Kx16 IS61WV6416EEBLL 2.4-3.6V 8,10 TSOP2(44),SOJ(44),BGA(48) 1Mb 64Kx16 IS64WV6416BLL 2.5-3.6V 15 TSOP2(44),BGA(48) 1Mb 64Kx16 IS64WV6416EEBLL 2.4-3.6V 8,10 TSOP2(44),BGA(48) 1Mb 64Kx16 IS64C6416AL 4.5-5.5V 15 SOJ(44),TSOP2(44) 512Kb 32Kx16 IS61C3216AL 5V 12 SOJ(44),TSOP2(44) 512Kb 32Kx16 IS61WV3216DBLL 2.4-3.6V 8,10,12 TSOP2(44),BGA(48)