存储器分为两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM芯片读取速度非常快,是目前读写较快的存储芯片,价格也相对比较贵,一般在对存储条件比较苛刻的产品上使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲,或者工控智能的产品。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,读取速度也比SRAM芯片慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存条就是DRAM的。 Density Org. Part Number Vcc Speed(ns) Pkg(Pins) 2Mb 128Kx16 IS61WV12816EDBLL 2.4-3.6V 8,10 TSOP2(44),BGA(48) 2Mb 128Kx16 IS64WV12816EDBLL 2.4-3.6V 10 TSOP2(44),BGA(48) 1Mb 128Kx8 IS61C1024AL 5V 12ns SOJ(32.3),SOJ(32.4),TSOP1(32),sTSOP(32) 1Mb 128Kx8 IS61WV1288EEBLL 2.4-3.6V 8,10 TSOP2(32),BGA(48),sTSOP1(32),SOJ(32.3) 1Mb 128Kx8 IS63WV1288DALL/DBLL 1.65-3.6V 8,10,12,20 TSOP2(32),BGA(48),sTSOP1(32),SOJ(32.3) 1Mb 128Kx8 IS64C1024AL 5V 15 SOJ(32.4),TSOP1(32) 1Mb 64Kx16 IS61C6416AL 5V 12ns SOJ(44),TSOP2(44) 1Mb 64Kx16 IS61WV6416DBLL 2.4-3.6V 8,10,12 TSOP2(44),SOJ(44),BGA(48) 1Mb 64Kx16 IS61WV6416EEBLL 2.4-3.6V 8,10 TSOP2(44),SOJ(44),BGA(48) 1Mb 64Kx16 IS64WV6416BLL 2.5-3.6V 15 TSOP2(44),BGA(48) 1Mb 64Kx16 IS64WV6416EEBLL 2.4-3.6V 8,10 TSOP2(44),BGA(48) 1Mb 64Kx16 IS64C6416AL 4.5-5.5V 15 SOJ(44),TSOP2(44) 512Kb 32Kx16 IS61C3216AL 5V 12 SOJ(44),TSOP2(44) 512Kb 32Kx16 IS61WV3216DBLL 2.4-3.6V 8,10,12 TSOP2(44),BGA(48) 256Kb 32Kx8 IS61LV256AL 3.3V 10 SOJ(28),TSOP1(28) 256Kb 32Kx8 IS65C256AL 5V 25,45 SOP(28),TSOP1(28)