同步SRAM S6R3216W1M 静态随机存取存储器SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此静态随机存取存储器SRAM具有较高的性能,功耗较小,适用于纽扣电池供电的高速和**低功耗的应用,如手持式扫描仪、掌上电脑、多功能蜂窝电话、机顶盒和WLAN等。 深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。 Density Org. Part number Vdd(V) Access Time Package 32Mb 4Mx8 S6R3208W1M 1.65~3.6 8/10/12/15ns 48FBGA 32Mb 2Mx16 S6R3216W1M 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 48FBGA 16Mb 2Mx8 S6R1608W1M 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 44TSOP2 48FBGA 16Mb 2Mx8 S6R1608V1M 3.3V 8/10ns 44TSOP2 48FBGA 16Mb 2Mx8 S6R1608C1M 5V 10ns 44TSOP2 48FBGA 16Mb 1Mx16 S6R1616W1M 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 48TSOP1 48FBGA 16Mb 1Mx16 S6R1616V1M 3.3V 8/10ns 48TSOP1 48FBGA 16Mb 1Mx16 S6R1616C1M 5V 10ns 48TSOP1 48FBGA 8Mb 1Mx8 S6R8008W1A 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 44TSOP2 48FBGA 8Mb 1Mx8 S6R8008C1A 5V 10ns 44TSOP2 48FBGA 8Mb 512Kx16 S6R8016W1A 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 44TSOP2 48FBGA 8Mb 512Kx16 S6R8016C1A 5V 10ns 44TSOP2 48FBGA 4Mb 512Kx8 S6R4008W1A 1.65~3.6 8/10/12/15ns 44TSOP2 36FBGA 4Mb 512Kx8 S6R4008V1A 3.3V 8/10ns 44TSOP2 36FBGA 4Mb 512Kx8 S6R4008C1A 5V 10ns 44TSOP2 36FBGA 4Mb 256Kx16 S6R4016W1A 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 44TSOP2 48FBGA 4Mb 256Kx16 S6R4016V1A 3.3V 8/10ns 44TSOP2 48FBGA 4Mb 256Kx16 S6R4016C1A 5V 10ns 44TSOP2 48FBGA 2Mb 256Kx8 S6R2008W1A 1.65~3.6V 8/10/12/15ns 44TSOP2 36FBGA 2Mb 256Kx8 S6R2008V1A 3.3V 8/10ns 44TSOP2 36FBGA