Async Fast SRAM芯片S6R1016V1A

Async?Fast?SRAM芯片S6R1016V1A

SRAM存储器不需要通过刷新电路就可以保存它内部存储的数据。而DRAM存储器需要一定的时间不断刷新充电，不然内部的数据会丢失，从而可以看出SRAM芯片的性能比较高，功耗也相对较小，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。

Density	Org.	Part number	Vdd(V)	Access Time	Package
32Mb	4Mx8	S6R3208W1M	1.65~3.6	8/10/12/15ns	48FBGA
32Mb	2Mx16	S6R3216W1M	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	48FBGA
16Mb	2Mx8	S6R1608W1M	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
16Mb	2Mx8	S6R1608V1M	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA
16Mb	2Mx8	S6R1608C1M	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
16Mb	1Mx16	S6R1616W1M	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	48TSOP1 48FBGA
16Mb	1Mx16	S6R1616V1M	3.3V	8/10ns	48TSOP1 48FBGA
16Mb	1Mx16	S6R1616C1M	5V	10ns	48TSOP1 48FBGA
8Mb	1Mx8	S6R8008W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
8Mb	1Mx8	S6R8008C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
8Mb	512Kx16	S6R8016W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
8Mb	512Kx16	S6R8016C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
4Mb	512Kx8	S6R4008W1A	1.65~3.6	8/10/12/15ns	44TSOP2 36FBGA
4Mb	512Kx8	S6R4008V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 36FBGA
4Mb	512Kx8	S6R4008C1A	5V	10ns	44TSOP2 36FBGA
4Mb	256Kx16	S6R4016W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
4Mb	256Kx16	S6R4016V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA
4Mb	256Kx16	S6R4016C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
2Mb	256Kx8	S6R2008W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 36FBGA
2Mb	256Kx8	S6R2008V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 36FBGA
2Mb	256Kx8	S6R2008C1A	5V	10ns	44TSOP2 36FBGA
2Mb	128Kx16	S6R2016W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
2Mb	128Kx16	S6R2016V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA
2Mb	128Kx16	S6R2016C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
1Mb	128Kx8	S6R1008W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	32sTSOP1 36FBGA
1Mb	128Kx8	S6R1008C1A	5V	10ns	32sTSOP1 36FBGA
1Mb	64Kx16	S6R1016C1A	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA
1Mb	64Kx16	S6R1016W1A	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA
1Mb	64Kx16	S6R1016V1A	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA
1Mb	128Kx8	S6R1008V1A	3.3V	8/10ns	32sTSOP1 36FBGA