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深圳市英尚微电子有限公司
主营：netsol,ipus,SRAM,MRAM,pSRAM,everspin - 13751192923
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主营：netsol,ipus,SRAM,MRAM,pSRAM,everspin
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SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，功耗较小，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。 Density Org. Part Number Vcc Speed(ns) Pkg(Pins) 32Mb 2Mx16 IS64WV204816BLL 2.4-3.6V 12 TSOP1(48),BGA(48) 32Mb 2Mx16 IS61WV204816ALL/BLL 1.65-3.6V 10,12 TSOP1(48),BGA(48) 16Mb 2Mx8 IS64WV20488BLL 2.4-3.6V 10 TSOP2(44),BGA(48) 16Mb 2Mx8 IS62WV20488ALL/BLL 1.65-3.6V 25,35 TSOP2(44),BGA(48) 16Mb 2Mx8 IS61WV20488ALL/BLL 1.65-3.6V 8,10,20 TSOP2(44),BGA(48) 16Mb 1Mx16 IS64WV102416DBLL 2.4-3.6V 12 TSOP1(48),BGA(48) 16Mb 1Mx16 IS64WV102416BLL 2.4-3.6V 10 TSOP1(48),BGA(48) 16Mb 1Mx16 IS61WV102416DALL/BLL 2.4~3.6 10 TSOP1(48),BGA(48) 16Mb 1Mx16 IS62WV102416ALL/BLL 1.65-3.6V 25,35 TSOP1(48),BGA(48) 16Mb 1Mx16 IS61WV102416ALL/BLL 1.65-3.6V 8,10,20 TSOP1(48),BGA(48) 16Mb 1Mx16 IS61WV102416EDALL/BLL 2.4~3.6 10 TSOP1(48),BGA(48) 16Mb 512Kx32 IS61WV51232ALL/BLL 1.65-3.6V 8,10,20 BGA(90) 8Mb 1Mx8 IS61WV10248ALL/BLL 1.65-3.6V 8,10,20 TSOP2(44),BGA(48) 8Mb 1Mx8 IS61WV10248EDBLL 2.4-3.6V 8,10,20 TSOP2(44),BGA(48) 8Mb 512Kx16 IS64WV51216EDBLL 2.4-3.6V 10 TSOP2(44),BGA(48) 8Mb 512Kx16 IS61WV51216ALL/BLL 1.65-3.6V 8,10,20 TSOP2(44),BGA(48) 8Mb 512Kx16 IS61WV51216EDALL/BLL 1.65-3.6V 8,10,20 TSOP2(44),BGA(48) 8Mb 256Kx32 IS61WV25632ALL/BLL 1.65-3.6V 8,10,20 BGA(90) 4Mb 512Kx8 IS61C5128AL 5V 10,12 SOJ(36),TSOP2(44) 4Mb 512Kx8 IS61C5128AS 5V 25ns SOP(36),sTSOP1(32),TSOP2(32) 4Mb 512Kx8 IS61WV5128ALL/BLL 1.65-3.6V 8,10,20 SOJ(36),TSOP2(44),BGA(36) 4Mb 512Kx8 IS61WV5128EDBLL 2.4-3.6V 8,10 TSOP2(44),BGA(36) 4Mb 512Kx8 IS64WV5128EDBLL 2.4-3.6V 10 TSOP2(44),BGA(36)